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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
2
Top :
15.0 V
10.0 V
2
10
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
10
150 C
25 C
1
o
o
10
2. T C = 25 C
-55 C
0
* Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
o
* Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.13
0.12
0.11
0.10
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
2
10
150 C
25 C
0.09
0.08
0.07
V GS = 10V
V GS = 20V
1
o
o
* Notes:
0.06
* Note : T J = 25
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.05
0
25
50
75
100
125
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
C oss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 60V
V DS = 150V
4000
C iss
8
V DS = 240V
6
2000
C rss
* Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
10
20 30 40
Q G , Total Gate Charge [nC]
? Note : I D = 38A
50 60
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA38N30 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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